图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 08/April/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 50 mOhm @ 4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 470pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SuperSOT |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| RDS -于 | 50@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±25 V |
| 典型导通延迟时间 | 7 ns |
| 典型上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 典型下降时间 | 6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±25 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 50@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 1.7(Max) |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| 包装长度 | 3(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 4 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 50 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 470pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.1nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 其他名称 | SI3457DVCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 类型 | MOSFET |
| 下降时间 | 12 ns |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 8.4 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 4 A |
| 长度 | 2.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | SI3457DV |
| 身高 | 1.1 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| 上升时间 | 12 ns |
| 技术 | Si |
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